일반
| 기본 품번 | LSIC1MO120 |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| 제조사 | IXYS |
| 실장 방식 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 기술 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| 드레인-소스 전압 | 1200 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 39A (Tc) |
기계적 특성
| 패키지 | Tube |
|---|---|
| 공급사 디바이스 패키지 | TO-263-7 |