IXTY01N100D

IXYS

IXTY01N100D

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA

생산 중TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs80Ohm @ 50mA, 0V
FET FeatureDepletion Mode
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds100 pF @ 25 V
제조사IXYS
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈Depletion
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 25µA

전기적 특성

드레인-소스 전압1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C400mA (Tc)
최대 전력 손실1.1W (Ta), 25W (Tc)

기계적 특성

패키지Tube
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급사 디바이스 패키지TO-252AA

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)