IXTT2N170D2

IXYS

IXTT2N170D2

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 1700V 2A TO268

생산 중TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5Ohm @ 1A, 0V
FET FeatureDepletion Mode
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs110 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3650 pF @ 25 V
제조사IXYS
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈Depletion
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

전기적 특성

드레인-소스 전압1700 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Tj)
최대 전력 손실568W (Tc)

기계적 특성

패키지Tube
Package / CaseTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
공급사 디바이스 패키지TO-268AA

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)