IXTT11P50

IXYS

IXTT11P50

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 500V 11A TO268

생산 중TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs750mOhm @ 5.5A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4700 pF @ 25 V
제조사IXYS
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Tc)
최대 전력 손실300W (Tc)

기계적 특성

패키지Tube
Package / CaseTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
공급사 디바이스 패키지TO-268AA

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)