IXTR210P10T

IXYS

IXTR210P10T

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 100V 195A ISOPLUS247

생산 중TO-247-3아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 105A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs740 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds69500 pF @ 25 V
제조사IXYS
실장 방식Through Hole
Product StatusActive
시리즈TrenchP™
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±15V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C195A (Tc)
최대 전력 손실595W (Tc)

기계적 특성

패키지Tube
Package / CaseTO-247-3
공급사 디바이스 패키지ISOPLUS247™

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)