IXTK110N20L2

IXYS

IXTK110N20L2

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 200V 110A TO264

생산 중TO-264-3, TO-264AA아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 55A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs500 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds23000 pF @ 25 V
제조사IXYS
실장 방식Through Hole
Product StatusActive
시리즈Linear L2™
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 3mA

전기적 특성

드레인-소스 전압200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C110A (Tc)
최대 전력 손실960W (Tc)

기계적 특성

패키지Tube
Package / CaseTO-264-3, TO-264AA
공급사 디바이스 패키지TO-264 (IXTK)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)