IXTH36N50P

IXYS

IXTH36N50P

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 500V 36A TO247

생산 중TO-247-3아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs170mOhm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5500 pF @ 25 V
제조사IXYS
실장 방식Through Hole
Product StatusActive
시리즈Polar
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C36A (Tc)
최대 전력 손실540W (Tc)

기계적 특성

패키지Tube
Package / CaseTO-247-3
공급사 디바이스 패키지TO-247 (IXTH)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)