IXTF1N250

IXYS

IXTF1N250

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 2500V 1A ISOPLUS I4

생산 중i4-Pac™-5 (3 Leads)아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs40Ohm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1660 pF @ 25 V
제조사IXYS
실장 방식Through Hole
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압2500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Tc)
최대 전력 손실110W

기계적 특성

패키지Tube
Package / Casei4-Pac™-5 (3 Leads)
공급사 디바이스 패키지ISOPLUS i4-PAC™

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)