IXTA3N50D2

IXYS

IXTA3N50D2

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 500V 3A TO263

생산 중TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 1.5A, 0V
FET FeatureDepletion Mode
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1070 pF @ 25 V
제조사IXYS
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈Depletion
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

전기적 특성

드레인-소스 전압500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Tc)
최대 전력 손실125W (Tc)

기계적 특성

패키지Tube
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급사 디바이스 패키지TO-263AA

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)