IXTA3N100D2

Name: IXTA3N100D2
Brand: IXYS

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 1000V 3A TO263

생산 중TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5Ohm @ 1.5A, 0V
FET Feature	Depletion Mode
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1020 pF @ 25 V
제조사	IXYS
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
시리즈	Depletion
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V

드레인-소스 전압	1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3A (Tc)
최대 전력 손실	125W (Tc)

동작 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)