IXTA02N250HV

IXYS

IXTA02N250HV

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263AB

생산 중TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs450Ohm @ 50mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds116 pF @ 25 V
제조사IXYS
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압2500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA (Tc)
최대 전력 손실83W (Tc)

기계적 특성

패키지Tube
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급사 디바이스 패키지TO-263AA

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)