IXFT320N10T2

IXYS

IXFT320N10T2

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 100V 320A TO268

생산 중TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5mOhm @ 100A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs430 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds26000 pF @ 25 V
제조사IXYS
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈HiPerFET™, TrenchT2™
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C320A (Tc)
최대 전력 손실1000W (Tc)

기계적 특성

패키지Tube
Package / CaseTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
공급사 디바이스 패키지TO-268AA

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 175°C (TJ)