IXFN50N120SIC

IXYS

IXFN50N120SIC

데이터시트

아날로그 및 전원

SICFET N-CH 1200V 47A SOT227B

생산 중SOT-227-4, miniBLOC아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 40A, 20V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs100 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1900 pF @ 1000 V
제조사IXYS
실장 방식Chassis Mount
Product StatusActive
기술SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+20V, -5V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 10mA

전기적 특성

드레인-소스 전압1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C47A (Tc)

기계적 특성

패키지Tube
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
공급사 디바이스 패키지SOT-227B

환경 조건

동작 온도-40°C ~ 150°C (TJ)