IXFN32N120

IXYS

IXFN32N120

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B

단종SOT-227-4, miniBLOC아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs350mOhm @ 500mA, 10V
기본 품번IXFN32
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs400 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds15900 pF @ 25 V
제조사IXYS
실장 방식Chassis Mount
Product StatusNot For New Designs
시리즈HiPerFET™
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 8mA

전기적 특성

드레인-소스 전압1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C32A

기계적 특성

패키지Box
Package / CaseSOT-227-4, miniBLOC
공급사 디바이스 패키지SOT-227B