IXFA4N100P

Name: IXFA4N100P
Brand: IXYS

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 1000V 4A TO263

생산 중TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.3Ohm @ 2A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1456 pF @ 25 V
제조사	IXYS
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
시리즈	HiPerFET™, Polar
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA

드레인-소스 전압	1000 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4A (Tc)
최대 전력 손실	150W (Tc)

동작 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)