일반
| 메모리 유형 | Volatile |
|---|---|
| 기술 | SDRAM - DDR4 |
| 접근 시간 | 18 ns |
| 제조사 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 실장 방식 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q100 |
| 쓰기 사이클 시간 | 15ns |
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS46QR81024A-075VBLA1
데이터시트메모리 및 스토리지
Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| 메모리 용량 | 8Gbit |
|---|---|
| 메모리 형식 | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| 클록 주파수 | 1.333 GHz |
| 공급 전압 | 1.14V ~ 1.26V |
| Memory Organization | 1G x 8 |
기계적 특성
| 패키지 | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 78-TFBGA |
| 공급사 디바이스 패키지 | 78-TWBGA (10x14) |
환경 조건
| 동작 온도 | -40°C ~ 95°C (TC) |
|---|