일반
| 메모리 유형 | Volatile |
|---|---|
| 기술 | SDRAM - DDR3 |
| 접근 시간 | 20 ns |
| 제조사 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 실장 방식 | Surface Mount |
| 포장 | Tray |
| 제품 상태 | 생산 중 |
| 쓰기 사이클 시간 | 15ns |
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| 메모리 용량 | 2Gbit |
|---|---|
| 메모리 형식 | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| 클록 주파수 | 1.066 GHz |
| 공급 전압 | 1.425V ~ 1.575V |
| Memory Organization | 128M x 16 |
기계적 특성
| Package / Case | 96-TFBGA |
|---|
환경 조건
| Grade | Automotive |
|---|---|
| 동작 온도 | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Qualification | AEC-Q100 |