IV1Q12160T4

Name: IV1Q12160T4
Brand: Inventchip

아날로그 및 전원

SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24

생산 중TO-247-4아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	195mOhm @ 10A, 20V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	43 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	885 pF @ 800 V
제조사	Inventchip
실장 방식	Through Hole
Product Status	Active
기술	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+20V, -5V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.9V @ 1.9mA

드레인-소스 전압	1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20A (Tc)
최대 전력 손실	138W (Tc)

동작 온도	-55°C ~ 175°C (TJ)