일반
| 메모리 유형 | Volatile |
|---|---|
| 기술 | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR |
| 접근 시간 | 120 ns |
| 제조사 | Intersil |
| 실장 방식 | Through Hole |
| Product Status | Active |
| 쓰기 사이클 시간 | 170ns |

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
| 메모리 유형 | Volatile |
|---|---|
| 기술 | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR |
| 접근 시간 | 120 ns |
| 제조사 | Intersil |
| 실장 방식 | Through Hole |
| Product Status | Active |
| 쓰기 사이클 시간 | 170ns |
| 메모리 용량 | 4Kbit |
|---|---|
| 메모리 형식 | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| 공급 전압 | 4.5V ~ 5.5V |
| Memory Organization | 4K x 1 |
| 패키지 | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 18-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 공급사 디바이스 패키지 | 18-CERDIP |
| 동작 온도 | -55°C~125°C(TA) |
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