IRL6283MTRPBF

International Rectifier

IRL6283MTRPBF

아날로그 및 전원

DIRECTFET N-CHANNEL POWER MOSFET

생산 중DirectFET™ Isometric MD아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.75mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs158 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8292 pF @ 10 V
제조사International Rectifier
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈HEXFET®, StrongIRFET™
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 100µA

전기적 특성

드레인-소스 전압20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C38A (Ta), 211A (Tc)
최대 전력 손실2.1W (Ta), 63W (Tc)

기계적 특성

패키지Bulk
Package / CaseDirectFET™ Isometric MD
공급사 디바이스 패키지DIRECTFET™ MD

환경 조건

동작 온도-40°C~150°C(TJ)