IRFH5255TRPBF

International Rectifier

IRFH5255TRPBF

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 25V 15A/51A PQFN

생산 중8-PowerVDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs6mOhm @ 15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds988 pF @ 13 V
제조사International Rectifier
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈HEXFET®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA

전기적 특성

드레인-소스 전압25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Ta), 51A (Tc)
최대 전력 손실3.6W (Ta), 26W (Tc)

기계적 특성

패키지Bulk
Package / Case8-PowerVDFN
공급사 디바이스 패키지8-PQFN (5x6)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)