IRFH4257DTRPBF

International Rectifier

IRFH4257DTRPBF

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 25V 25A PQFN

생산 중8-PowerVDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.4mOhm @ 25A, 10V
기본 품번IRFH4257
구성2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1321pF @ 13V
제조사International Rectifier
실장 방식Surface Mount
포장Bulk
제품 상태생산 중
시리즈HEXFET®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 35µA

전기적 특성

드레인-소스 전압25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A
Power - Max25W, 28W

기계적 특성

Package / Case8-PowerVDFN
공급사 디바이스 패키지Dual PQFN (5x4)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)