IRF6811STRPBF

International Rectifier

IRF6811STRPBF

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 25V 19A/74A DIRECTFT

생산 중DirectFET™ Isometric SQ아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.7mOhm @ 19A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1590 pF @ 13 V
제조사International Rectifier
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈DirectFET®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 35µA

전기적 특성

드레인-소스 전압25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C19A (Ta), 74A (Tc)
최대 전력 손실2.1W (Ta), 32W (Tc)

기계적 특성

패키지Bulk
Package / CaseDirectFET™ Isometric SQ
공급사 디바이스 패키지DirectFET™ Isometric SQ

환경 조건

동작 온도-40°C~150°C(TJ)