IRF40DM229

International Rectifier

IRF40DM229

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 40V 159A DIRECTFET

생산 중DirectFET™ Isometric MF아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.85mOhm @ 97A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5317 pF @ 25 V
제조사International Rectifier
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈StrongIRFET™
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.9V @ 100µA

전기적 특성

드레인-소스 전압40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C159A (Tc)
최대 전력 손실83W (Tc)

기계적 특성

패키지Bulk
Package / CaseDirectFET™ Isometric MF
공급사 디바이스 패키지DirectFET™ Isometric MF

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)