MD2147H3

Intel

MD2147H3

메모리 및 스토리지

IC SRAM 4KBIT PARALLEL 18CDIP

생산 중18-CDIP메모리 및 스토리지

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

메모리 유형Volatile
기술SRAM - Asynchronous
접근 시간55 ns
제조사Intel
실장 방식Through Hole
포장Bulk
제품 상태생산 중
쓰기 사이클 시간55ns

전기적 특성

메모리 용량4Kbit
메모리 형식SRAM
Memory InterfaceParallel
공급 전압4.5V ~ 5.5V
Memory Organization4K x 1

기계적 특성

Package / Case18-CDIP
공급사 디바이스 패키지18-CDIP

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 125°C (TC)