IST015N06NM5AUMA1

Infineon Technologies

IST015N06NM5AUMA1

데이터시트

아날로그 및 전원

OPTIMOS 5 POWER MOSFET 60 V

생산 중5-PowerSFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5200 pF @ 30 V
제조사Infineon Technologies
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈OptiMOS™5
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.3V @ 95µA

전기적 특성

드레인-소스 전압60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C36A (Ta), 242A (Tc)
최대 전력 손실3.8W (Ta), 167W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case5-PowerSFN
공급사 디바이스 패키지PG-HSOF-5-1

환경 조건

동작 온도-55°C~175°C(TJ)