ISP75DP06LMXTSA1

Name: ISP75DP06LMXTSA1
Brand: Infineon Technologies

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 60V 1.1A SOT223-4

생산 중TO-261-4, TO-261AA아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	750mOhm @ 1.1A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	120 pF @ 30 V
제조사	Infineon Technologies
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
시리즈	OptiMOS™
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 77µA

드레인-소스 전압	60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.1A (Ta)
최대 전력 손실	1.8W (Ta), 4.2W (Tc)

동작 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)