ISC0802NLSATMA1

Name: ISC0802NLSATMA1
Brand: Infineon Technologies

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON

생산 중8-PowerTDFN아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.6mOhm @ 50A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5190 pF @ 50 V
제조사	Infineon Technologies
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
시리즈	OptiMOS™ 5
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 92µA

드레인-소스 전압	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	22A (Ta), 150A (Tc)
최대 전력 손실	2.5W (Ta), 125W (Tc)

동작 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)