IRLMS2002

Infineon Technologies

IRLMS2002

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6

구형SOT-23-6아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 6.5A, 4.5V
기본 품번IRLMS200
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1310 pF @ 15 V
제조사Infineon Technologies
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
시리즈HEXFET®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.5A (Ta)
최대 전력 손실2W (Ta)

기계적 특성

패키지Tube
Package / CaseSOT-23-6
공급사 디바이스 패키지Micro6™(SOT23-6)