IRLHM620TRPBF

Infineon Technologies

IRLHM620TRPBF

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 20V 26A/40A PQFN

생산 중8-PowerTDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5mOhm @ 20A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs78 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3620 pF @ 10 V
제조사Infineon Technologies
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈HEXFET®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 50µA

전기적 특성

드레인-소스 전압20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C26A (Ta), 40A (Tc)
최대 전력 손실2.7W (Ta), 37W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
공급사 디바이스 패키지PQFN (3x3)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)