IRL80HS120

Infineon Technologies

IRL80HS120

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN

생산 중6-VDFN Exposed Pad아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 7.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds540 pF @ 25 V
제조사Infineon Technologies
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 10µA

전기적 특성

드레인-소스 전압80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12.5A (Tc)
최대 전력 손실11.5W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case6-VDFN Exposed Pad
공급사 디바이스 패키지6-PQFN (2x2)

환경 조건

동작 온도-55°C~175°C(TJ)