IRL2910STRRPBF

Infineon Technologies

IRL2910STRRPBF

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK

단종TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs26mOhm @ 29A, 10V
기본 품번IRL2910
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs140 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3700 pF @ 25 V
제조사Infineon Technologies
실장 방식Surface Mount
Product StatusLast Time Buy
시리즈HEXFET®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C55A (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급사 디바이스 패키지D2PAK