IRFSL4229PBF

Infineon Technologies

IRFSL4229PBF

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 250V 45A TO262

구형TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs48mOhm @ 26A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4560 pF @ 25 V
제조사Infineon Technologies
실장 방식Through Hole
Product StatusObsolete
시리즈HEXFET®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C45A (Tc)
최대 전력 손실330W (Tc)

기계적 특성

패키지Tube
Package / CaseTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
공급사 디바이스 패키지TO-262

환경 조건

동작 온도-40°C~175°C(TJ)