IRFHS9351TRPBF

Infineon Technologies

IRFHS9351TRPBF

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN

생산 중6-PowerVDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs170mOhm @ 3.1A, 10V
기본 품번IRFHS9351
구성2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds160pF @ 25V
제조사Infineon Technologies
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈HEXFET®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 10µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.3A
Power - Max1.4W

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-PowerVDFN
공급사 디바이스 패키지6-PQFN Dual (2x2)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)