IRFHS8342TRPBF

Name: IRFHS8342TRPBF
Brand: Infineon Technologies

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 30V 8.8A/19A TSDSON

생산 중6-PowerVDFN아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	16mOhm @ 8.5A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	600 pF @ 25 V
제조사	Infineon Technologies
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
시리즈	HEXFET®
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA

드레인-소스 전압	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8.8A (Ta), 19A (Tc)
최대 전력 손실	2.1W (Ta)

동작 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)