IRFHM8363TR2PBF

Infineon Technologies

IRFHM8363TR2PBF

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

구형8-PowerVDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs14.9mOhm @ 10A, 10V
기본 품번IRFHM8363
구성2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1165pF @ 10V
제조사Infineon Technologies
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A
Power - Max2.7W

기계적 특성

패키지Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
공급사 디바이스 패키지8-PQFN-Dual (3.3x3.3)