IRFHM830TR2PBF

Infineon Technologies

IRFHM830TR2PBF

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 30V 21A PQFN

구형8-VQFN Exposed Pad아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2155 pF @ 25 V
제조사Infineon Technologies
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 50µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21A (Ta), 40A (Tc)

기계적 특성

패키지Cut Tape (CT)
Package / Case8-VQFN Exposed Pad
공급사 디바이스 패키지PQFN (3x3)