IRFHE4250DTRPBF

Infineon Technologies

IRFHE4250DTRPBF

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A 32QFN

구형32-PowerWFQFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.75mOhm @ 27A, 10V
기본 품번IRFHE4250
구성2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1735pF @ 13V
제조사Infineon Technologies
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
시리즈FASTIRFET™
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 35µA

전기적 특성

드레인-소스 전압25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C86A, 303A
Power - Max156W

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case32-PowerWFQFN
공급사 디바이스 패키지32-PQFN (6x6)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)