IRFH7932TR2PBF

Infineon Technologies

IRFH7932TR2PBF

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56

구형8-PowerVDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.3mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs51 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4270 pF @ 15 V
제조사Infineon Technologies
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 100µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C24A (Ta), 104A (Tc)
최대 전력 손실3.4W (Ta)

기계적 특성

패키지Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
공급사 디바이스 패키지PQFN (5x6) Single Die

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)