IRFH7882TRPBF

Infineon Technologies

IRFH7882TRPBF

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 80V 26A 8PQFN

구형8-VQFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.1mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3186 pF @ 40 V
제조사Infineon Technologies
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
시리즈FASTIRFET™
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C26A (Ta)
최대 전력 손실4W (Ta), 195W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case8-VQFN
공급사 디바이스 패키지8-PQFN (5x6)

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)