IRFH7110TR2PBF

Infineon Technologies

IRFH7110TR2PBF

아날로그 및 전원

MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6

구형8-TQFN Exposed Pad아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs13.5mOhm @ 35A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3240 pF @ 25 V
제조사Infineon Technologies
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 100µA

전기적 특성

드레인-소스 전압100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Ta), 58A (Tc)

기계적 특성

패키지Cut Tape (CT)
Package / Case8-TQFN Exposed Pad
공급사 디바이스 패키지8-PQFN (5x6)