IRFH5010TR2PBF

Infineon Technologies

IRFH5010TR2PBF

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 100V 13A 5X6 PQFN

구형8-PowerVDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 50A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4340 pF @ 25 V
제조사Infineon Technologies
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 150µA

전기적 특성

드레인-소스 전압100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Ta), 100A (Tc)

기계적 특성

패키지Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
공급사 디바이스 패키지8-PQFN (5x6)