IRF8513PBF

Infineon Technologies

IRF8513PBF

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8SO

구형8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs15.5mOhm @ 8A, 10V
기본 품번IRF8513
구성2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds766pF @ 15V
제조사Infineon Technologies
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A, 11A
Power - Max1.5W, 2.4W

기계적 특성

패키지Tube
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급사 디바이스 패키지8-SO

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 175°C (TJ)