IRF7379

Infineon Technologies

IRF7379

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8SO

구형8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 5.8A, 10V
기본 품번IRF737
구성N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds520pF @ 25V
제조사Infineon Technologies
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
시리즈HEXFET®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.8A, 4.3A
Power - Max2.5W

기계적 특성

패키지Tube
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급사 디바이스 패키지8-SO

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)