가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 16A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1038 pF @ 13 V |
| 제조사 | Infineon Technologies |
| 실장 방식 | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| 시리즈 | HEXFET® |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 25µA |
| 드레인-소스 전압 | 25 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16A (Ta), 50A (Tc) |
| 최대 전력 손실 | 2.1W (Ta), 20W (Tc) |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | DirectFET™ Isometric S1 |
| 공급사 디바이스 패키지 | DirectFET™ Isometric S1 |
| 동작 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
|---|