IRF6718L2TR1PBF

Infineon Technologies

IRF6718L2TR1PBF

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET

구형DirectFET™ Isometric L6아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.7mOhm @ 61A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs96 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6500 pF @ 13 V
제조사Infineon Technologies
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
시리즈HEXFET®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.35V @ 150µA

전기적 특성

드레인-소스 전압25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C61A (Ta), 270A (Tc)
최대 전력 손실4.3W (Ta), 83W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / CaseDirectFET™ Isometric L6
공급사 디바이스 패키지DIRECTFET L6

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 175°C (TJ)