IRF6602

Name: IRF6602
Brand: Infineon Technologies

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET

구형DirectFET™ Isometric MQ아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	13mOhm @ 11A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1420 pF @ 10 V
제조사	Infineon Technologies
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Obsolete
시리즈	HEXFET®
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 250µA

드레인-소스 전압	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Ta), 48A (Tc)
최대 전력 손실	2.3W (Ta), 42W (Tc)