IQE006NE2LM5CGATMA1

Name: IQE006NE2LM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 25V 41A/298A IPAK

생산 중TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	650mOhm @ 20A, 10V
기본 품번	IQE006
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5453 pF @ 12 V
제조사	Infineon Technologies
실장 방식	Through Hole
Product Status	Active
시리즈	OptiMOS™ 5
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±16V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA

드레인-소스 전압	25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	41A (Ta), 298A (Tc)
최대 전력 손실	2.1W (Ta), 89W (Tc)

동작 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)