IPW65R080CFDAFKSA1

Infineon Technologies

IPW65R080CFDAFKSA1

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3

생산 중TO-247-3아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 17.6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4440 pF @ 100 V
제조사Infineon Technologies
실장 방식Through Hole
Product StatusActive
시리즈CoolMOS™
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 1.76mA

전기적 특성

드레인-소스 전압650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C43.3A (Tc)
최대 전력 손실391W (Tc)

기계적 특성

패키지Tube

환경 조건

GradeAutomotive
동작 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101