IPU60R1K4C6BKMA1

Infineon Technologies

IPU60R1K4C6BKMA1

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3

단종TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 1.1A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds200 pF @ 100 V
제조사Infineon Technologies
실장 방식Through Hole
포장Bulk
제품 상태Discontinued at
시리즈448
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 90µA

전기적 특성

드레인-소스 전압600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.2A (Tc)
최대 전력 손실28.4W (Tc)

기계적 특성

Package / CaseTO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
공급사 디바이스 패키지PG-TO251-3

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 155°C (TJ)